Qualidade Suspensão de Óxido de Alumínio (Al₂O₃) CMP para Planarização de Wafer e Polimento de Precisão de Semicondutores Fábrica
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Suspensão de Óxido de Alumínio (Al₂O₃) CMP para Planarização de Wafer e Polimento de Precisão de Semicondutores

Nome da marca: LICHEN
Número do modelo: LC
Lugar de origem: China
Certificação: ISO9001
Quantidade mínima do pedido: 20kg
Preço: Contact us
Capacidade de abastecimento: 3000MT/year

Detalhes do produto


D50: Personalizável pH: Personalizável
conteúdo sólido: Personalizável distribuição de partículas: PSD estreito
Estabilidade da dispersão: Excelente Desempenho de defeitos: Baixa taxa de risco
Destacar

Suspensão CMP de Óxido de Alumínio para planarização de wafer

,

Suspensão de polimento de semicondutores Al₂O₃

,

Suspensão CMP de precisão para wafers de semicondutores

Descrição do produto

Óxido de alumínio (Al2O3) Slurry CMP para planarização de wafer e polir de semicondutores de precisão

Visão geral:

Alumina CMP Slurry (Aluminum Oxide CMP Slurry) is a high-performance chemical mechanical planarization material developed for precision surface planarization in semiconductor manufacturing and advanced electronic fabrication.

Formulado utilizando partículas abrasivas de óxido de alumínio de alta pureza e aditivos químicos otimizados,A lama permite a remoção controlada do material, mantendo uma excelente planície da superfície e uma baixa geração de defeitosA distribuição de tamanho de partícula cuidadosamente concebida garante um desempenho uniforme de polimento e um controlo estável do processo durante as operações CMP.

Projetado para nós de semicondutores modernos e ambientes de fabricação de alto volume, a lama de alumina CMP suporta planarização consistente de wafer, melhor desempenho de rendimento,e integração confiável no equipamento automatizado CMP.

 

Principais características e vantagens

Excelente desempenho de planarização

Fornece uma remoção uniforme do material e uma superfície plana superior necessária na fabricação de semicondutores.

Taxa de remoção controlada

O equilíbrio abrasivo e químico otimizado permite um controle de polimento preciso para diferentes materiais de wafer.

Geração com baixo grau de defeito

A alta estabilidade de dispersão minimiza a aglomeração de partículas, reduzindo arranhões e defeitos.

Operação CMP estável

Manter um desempenho constante da lama durante ciclos de polimento longos e produção automatizada.

Alta compatibilidade de processos

Adequado para várias plataformas CMP e sistemas de almofadas de polimento.


Distribuição do tamanho das partículas

Suspensão de Óxido de Alumínio (Al₂O₃) CMP para Planarização de Wafer e Polimento de Precisão de Semicondutores 0

Aplicações típicas

Fabricação de semicondutores

  • Wafer de silício CMP
  • Planarização da camada de óxido
  • Polição de camadas metálicas
  • Poluição dieléctrica entre camadas

Vantagens técnicas da lama de alumínio CMP

Os abrasivos de alumínio fornecem:

  • Forte capacidade de polimento mecânico
  • Propriedades químicas estáveis
  • Ampla adaptabilidade ao processo
  • Desempenho CMP eficiente em termos de custos
  • Controle fiável da taxa de remoção

Em comparação com os abrasivos mais macios, a lama de alumina CMP é particularmente eficaz para aplicações que exigem planarização eficiente e estabilidade robusta do processo.


Perguntas e respostas

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