Qualité Pâte CMP d'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) pour la planarisation de plaquettes et le polissage de semi-conducteurs de précision Usine
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Pâte CMP d'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) pour la planarisation de plaquettes et le polissage de semi-conducteurs de précision

Nom de marque: LICHEN
Numéro de modèle: LC
Lieu d'origine: Chine
Certification: ISO9001
Quantité de commande minimale: 20KGS
Prix: Contact us
Capacité à fournir: 3000MT/year

Détails de produit


D50: Personnalisable pH: Personnalisable
contenu solide: Personnalisable Répartition des particules: PSD étroit
Stabilité de la dispersion: Excellent Performance des défauts: Faible taux de rayures
Mettre en évidence

Pâte CMP d'oxyde d'aluminium pour la planarisation de plaquettes

,

Pâte de polissage de semi-conducteurs Al₂O₃

,

Pâte CMP de précision pour plaquettes de semi-conducteurs

Description de produit

Oxyde d'aluminium (Al2O3) Slurry CMP pour la planarisation des plaquettes et le polissage de semi-conducteurs de précision

Résumé:

Alumina CMP Slurry (Aluminum Oxide CMP Slurry) is a high-performance chemical mechanical planarization material developed for precision surface planarization in semiconductor manufacturing and advanced electronic fabrication.

Formulé à partir de particules abrasives d'oxyde d'aluminium de haute pureté et d'additifs chimiques optimisés,l'ensemencement assure une élimination contrôlée des matières tout en maintenant une excellente planéité de surface et une faible génération de défautsLa répartition de la taille des particules soigneusement conçue assure des performances de polissage uniformes et un contrôle stable du processus pendant les opérations CMP.

Conçu pour les nœuds de semi-conducteurs modernes et les environnements de fabrication à haut volume, le lisier CMP d'alumine prend en charge une planarisation cohérente des plaquettes, une meilleure performance de rendement,et une intégration fiable dans l'équipement automatisé CMP.

 

Principales caractéristiques et avantages

Excellente performance de planarisation

Fournit une élimination uniforme du matériau et une planéité de surface supérieure requise dans la fabrication de semi-conducteurs.

Taux d'élimination contrôlé

L'équilibre abrasif et chimique optimisé permet un contrôle de polissage précis pour différents matériaux de gaufres.

Génération à faible défectuosité

Une grande stabilité de dispersion réduit l'agglomération des particules, réduisant les rayures et les défauts.

Fonctionnement stable de la CMP

Maintenir des performances constantes du lisier pendant de longs cycles de polissage et une production automatisée.

Compatibilité élevée des processus

Convient pour les différentes plateformes CMP et les systèmes de polissage.


Distribution de la taille des particules

Pâte CMP d'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) pour la planarisation de plaquettes et le polissage de semi-conducteurs de précision 0

Applications typiques

Fabrication de semi-conducteurs

  • Plaquettes de silicium CMP
  • Planarisation de la couche d'oxyde
  • Polissage des couches métalliques
  • Polissage diélectrique entre couches

Avantages techniques de l'escargot d'aluminium à base de CMP

Les abrasifs à base d'alumine fournissent:

  • Forte capacité de polissage mécanique
  • Propriétés chimiques stables
  • Large capacité d'adaptation des procédés
  • Performances efficaces par rapport aux coûts
  • Contrôle fiable du taux d'élimination

Comparé aux abrasifs plus doux, la suspension d'alumine CMP est particulièrement efficace pour les applications nécessitant une planarisation efficace et une stabilité de processus robuste.


Questions et réponses

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Nous fournissons des échantillons pour évaluation, contactez notre équipe pour demander un échantillon, et nous organiserons l'expédition.

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Points forts du produit

Oxyde d'aluminium (Al2O3) Slurry CMP pour la planarisation des plaquettes et le polissage de semi-conducteurs de précision Résumé: Alumina CMP Slurry (Aluminum Oxide CMP Slurry) is a high-performance chemical mechanical planarization material developed for precision surface planarization in ...

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