半導体ガラスのための精細平面化セリウム酸化物スラム
製品詳細
| 粒子サイズ: | 0.5～0.8μm | CAS番号: | 1306-38-3 |
|---|---|---|---|
| CeO₂: | 63~68% | 停止率: | 高い |
| Ph 範囲: | 7-10 | 配合: | カスタマイズされた |
| ハイライト |
円化セリウムオキシドパスタ,半導体 ガラスのセリウムオキシドパスタ,プラナライゼーションセリウムポリシング粉末 |
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製品の説明
半導体ガラスの細い平面化のためのスラム
記述について
半導体ガラスの微細平面化のためのリッセンセリウムベースの磨きスラーリーは高純度で半導体製造における先進的なグラス平面化プロセスのために設計された使用準備済みのスラム精密に制御されたセリウムオキシド粒子で作られ,このスローリーは優れた表面平ら性,低粗さ,最小限の欠陥生成を提供します.現代の半導体およびマイクロ電子機器の生産の厳しい要求を満たす.
これは,キャリアグラス,インターポーザーグラス,およびディスプレイ関連半導体グラスコンポーネントを含む幅広い半導体グラス基板を磨くのに適しています.
主要 な 特徴 と 利点
高純度セリウムオキシド磨材
低金属不純度が敏感な半導体プロセスにおける汚染を防ぐのに役立ちます.
卓越した平面化能力
大面積のガラス基板に均質な素材除去と優れた平ら性を提供します.
表面の粗さが低い
後続のリトグラフィー,粘着,またはコーティングステップに必要な超滑らかな表面を達成します.
安定したスラム分散
最適化された配合は,最小限の粒子の集積と一貫した磨き動作を保証します.
欠陥密度が低い
微細な平面化中に 傷,穴,粒子に関連する欠陥を効果的に軽減します.
技術データ
| 分子式 | CAS番号 | CeO2 % | D50 (μm) | 外見 | 適用する |
| CeO2 | 1306-38-3 | 63~68% | 0.5-0.8μm | 白い粉末 | 半導体ガラス |
粒子の大きさの分布について
Q&A
1稀土の磨き粉とは?
光学部品や半導体ウェーファーや ガラスやレンズなどの繊細な表面を 磨くのに使用される 高純度化合物です高透明度で材料を損傷することなく仕上げ.
2稀土の磨き粉を どう選べますか?
理想的な磨き粉を選ぶには,磨いている材料,必要な仕上げ,粒子の大きさや純度などの要素を考慮してください.あなたのニーズに最適な製品を選択するのに役立ちます..
3稀土の磨き粉を どうやって保管すればいいですか?
温かい乾燥した場所に保管し,湿度や日光から遠ざけます. 汚染を防止し有効性を維持するために,粉末を気密容器に保管します.通常は1〜2年続きます.
4稀土の製剤を 提供していますか?
はい,私たちは,あなたの特定のニーズを満たすために,細粒子のサイズ,化学的組成,またはスラムの一貫性調整を含む,カスタム稀土の磨き粉やスラムを提供しています.
5大量注文する前にサンプルを貰えますか?
絶対! 評価のためにサンプルを用意します. サンプルを依頼するためにチームに連絡してください. そして私たちは出荷を整理します.
6どうすれば注文できますか? 典型的な配達時間は?
注文をするには,単に販売チームと連絡してください. 彼らはプロセスを通してあなたを案内し,オートを提供します. 配達時間は,注文のサイズ,場所,および在庫の可用性によって異なります.オーダーが確認されたら 予定表を教えます.
製品 ハイライト
半導体ガラスの細い平面化のためのスラム 記述について 半導体ガラスの微細平面化のためのリッセンセリウムベースの磨きスラーリーは高純度で半導体製造における先進的なグラス平面化プロセスのために設計された使用準備済みのスラム精密に制御されたセリウムオキシド粒子で作られ,このスローリーは優れた表面平ら性,低粗さ,最小限の欠陥生成を提供します.現代の半導体およびマイクロ電子機器の生産の厳しい要求を満たす. これは,キャリアグラス,インターポーザーグラス,およびディスプレイ関連半導体グラスコンポーネントを含む幅広い半導体グラス基板を磨くのに適しています. 主要 な 特徴 と 利点 高純度セリウムオキシド磨...
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