2.2μM Ph 中性ポリシング CMP グラス・ウェーファー基板用スラム
製品詳細
| 粒子サイズ: | 0.8～2.2μm | CAS番号: | 1306-38-3 |
|---|---|---|---|
| CeO₂: | 99% | 停止率: | 高い |
| Ph 範囲: | 7-10 | 応用: | ガラスウエハ基板 |
| ハイライト |
2.2μmcmpスローリング,ph 中性cmpスローリング,CMP ダイヤモンドスローリングの磨き |
||
製品の説明
CMP グラス・ウェーバー基板のためのスラム
記述について
グラス・ウェーバー基板のためのリッセン・CMPスラーリーは,グラス・ウェーバー基板の精密化学機械的平面化 (CMP) のために製成された高純度,使用準備のよい磨きスラーリである.高度な半導体向けに設計されたこのスローリーは,材料を最適に除去し,表面を均等に磨き,欠陥密度が低くします.高性能ガラス・ウエファー・サブストラットに対する厳格な要求を満たすMEMS装置,フォトマスク,光学部品
高出力で高出力な用途のために設計された リッセン社のCMPスローリーは ガラスのウエファーを磨く上質な性能を提供します生産コストを最小限に抑えながら,顧客が一貫した結果を達成するのを助ける.
主要 な 特徴 と 利点
高純度セリウムオキシド磨材
汚染を防止し,繊細なガラスのウエフルの適用で優れた磨き一貫性を確保するために,金属不純度レベルが非常に低い.
最適化された粒子の大きさ分布
制御された材料の除去と表面損傷を最小限にするために 細かい均質な粒子が作られ 滑らかで欠陥のないガラスホイールが作られます
卓越した平面化性能
低粗さで超滑らかで平らな表面を達成し,後のリトグラフィー,粘着,またはコーティングプロセスに不可欠です.
低欠陥生成
微小な傷や穴や霧を最小限に抑え,高品質の表面仕上げを保証し,半導体製造における生産損失を削減します
安定し一貫したパフォーマンス
異なる種類のウエファーや生産量で一貫した性能を持つ信頼性の高いスローリー分散
技術データ
| 分子式 | CAS番号 | CeO2 % | D50 (μm) | 外見 | 適用する |
| CeO2 | 1306-38-3 | 99 | 0.8-2.2μm | 白いスラム | グラス・ウェーバー基板 |
粒子の大きさの分布について
Q&A
1稀土の磨き粉とは?
光学部品や半導体ウェーファーや ガラスやレンズなどの繊細な表面を 磨くのに使用される 高純度化合物です高透明度で材料を損傷することなく仕上げ.
2稀土の磨き粉を どう選べますか?
理想的な磨き粉を選ぶには,磨いている材料,必要な仕上げ,粒子の大きさや純度などの要素を考慮してください.あなたのニーズに最適な製品を選択するのに役立ちます..
3稀土の磨き粉を どうやって保管すればいいですか?
温かい乾燥した場所に保管し,湿度や日光から遠ざけます. 汚染を防止し有効性を維持するために,粉末を気密容器に保管します.通常は1〜2年続きます.
4稀土の製剤を 提供していますか?
はい,私たちは,あなたの特定のニーズを満たすために,細粒子のサイズ,化学的組成,またはスラムの一貫性調整を含む,カスタム稀土の磨き粉やスラムを提供しています.
5大量注文する前にサンプルを貰えますか?
絶対! 評価のためにサンプルを用意します. サンプルを依頼するためにチームに連絡してください. そして私たちは出荷を整理します.
6どうすれば注文できますか? 典型的な配達時間は?
注文をするには,単に販売チームと連絡してください. 彼らはプロセスを通してあなたを案内し,オートを提供します. 配達時間は,注文のサイズ,場所,および在庫の可用性によって異なります.オーダーが確認されたら 予定表を教えます.
製品 ハイライト
CMP グラス・ウェーバー基板のためのスラム 記述について グラス・ウェーバー基板のためのリッセン・CMPスラーリーは,グラス・ウェーバー基板の精密化学機械的平面化 (CMP) のために製成された高純度,使用準備のよい磨きスラーリである.高度な半導体向けに設計されたこのスローリーは,材料を最適に除去し,表面を均等に磨き,欠陥密度が低くします.高性能ガラス・ウエファー・サブストラットに対する厳格な要求を満たすMEMS装置,フォトマスク,光学部品 高出力で高出力な用途のために設計された リッセン社のCMPスローリーは ガラスのウエファーを磨く上質な性能を提供します生産コストを最小限に抑えながら,顧...
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