Slurry CMP de alta pureza para planarização de wafer de silício
Detalhes do produto
| Tipo de abrasivo: | Óxido de cério | Tamanho de partícula (D50): | 50 – 150 nm |
|---|---|---|---|
| conteúdo sólido: | 5 – 20% em peso | pH: | 6,5 – 10,5 |
| aparência: | líquido branco | Taxa da remoção: | Personalizável |
| Destacar |
Lixo de CMP de alta pureza,Lâmina de planarização de wafer de silício,Lâmina de polimento de terras raras |
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Descrição do produto
Suspensão CMP de Alta Pureza para Planarização de Bolachas de Silício
Visão Geral do Produto
Suspensão CMP avançada projetada para polimento de bolachas de silício na fabricação de semicondutores. Oferece excelente planarização de superfície, baixa defeituosidade, taxa de remoção estável e qualidade superior da superfície da bolacha para aplicações de CI, MEMS e eletrônicas avançadas.
Principais Características
- Alta eficiência de planarização para bolachas de silício
- Excelente suavidade de superfície e baixo desempenho de arranhões
- Distribuição de tamanho de partícula estável para consistência do processo
- Baixa defeituosidade e risco reduzido de contaminação
- Compatível com processos CMP de semicondutores avançados
- Adequado para equipamentos de polimento de precisão e linhas automatizadas
Distribuição do Tamanho de PartículaAplicações
Polimento CMP de bolachas de silício
- Planarização de bolachas de semicondutores
- Polimento de substratos eletrônicos avançados
- Processamento de semicondutores de precisão
- Por que escolher a Lichen como seu fornecedor global
Fabricante dedicado de polimento de céria e alumina
- Cadeia de suprimentos estável de matérias-primas de terras raras
- Capacidade de engenharia de partículas personalizadas
- Controle de qualidade consistente lote a lote
- Suporte técnico para otimização do processo de polimento
Destaques do Produto
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