실리콘 웨이퍼 평탄화를 위한 고순도 CMP 슬러리
제품 상세정보
| 연마재 종류: | 산화세륨 | 입자 크기(D50): | 50~150nm |
|---|---|---|---|
| 솔리드 콘텐트: | 5~20중량% | pH: | 6.5 – 10.5 |
| 모습: | 백색 유액 | 제거 속도: | 맞춤형 |
| 강조하다 |
고순도 CMP 슬러리,실리콘 웨이퍼 평탄화 슬러리,희토류 가습물 |
||
제품 설명
실리콘 웨이퍼 평탄화를 위한 고순도 CMP 슬러리
제품 개요
반도체 제조 공정에서 실리콘 웨이퍼 연마를 위해 설계된 고급 CMP 슬러리입니다. IC, MEMS 및 고급 전자 응용 분야에 대해 우수한 표면 평탄화, 낮은 결함률, 안정적인 제거율 및 뛰어난 웨이퍼 표면 품질을 제공합니다.
주요 특징
- 실리콘 웨이퍼에 대한 높은 평탄화 효율
- 우수한 표면 평활도 및 낮은 스크래치 성능
- 공정 일관성을 위한 안정적인 입자 크기 분포
- 낮은 결함률 및 오염 위험 감소
- 첨단 반도체 CMP 공정과 호환
- 정밀 연마 장비 및 자동화 라인에 적합
입자 크기 분포
응용 분야
- 실리콘 웨이퍼 CMP 연마
- 반도체 웨이퍼 평탄화
- 고급 전자 기판 연마
- 정밀 반도체 가공
Lichen을 글로벌 공급업체로 선택해야 하는 이유
- 전용 세리아 및 알루미나 연마 제조업체
- 안정적인 희토류 원자재 공급망
- 맞춤형 입자 엔지니어링 역량
- 일관된 배치별 품질 관리
- 연마 공정 최적화를 위한 기술 지원
제품 하이라이트
실리콘 웨이퍼 평탄화를 위한 고순도 CMP 슬러리 제품 개요 반도체 제조 공정에서 실리콘 웨이퍼 연마를 위해 설계된 고급 CMP 슬러리입니다. IC, MEMS 및 고급 전자 응용 분야에 대해 우수한 표면 평탄화, 낮은 결함률, 안정적인 제거율 및 뛰어난 웨이퍼 표면 품질을 제공합니다. 주요 특징 실리콘 웨이퍼에 대한 높은 평탄화 효율 우수한 표면 평활도 및 낮은 스크래치 성능 공정 일관성을 위한 안정적인 입자 크기 분포 낮은 결함률 및 오염 위험 감소 첨단 반도체 CMP 공정과 호환 정밀 연마 장비 및 자동화 라인에 적합 입자 크기 ...
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