Lodo CMP de alta pureza para planarización de obleas de silicio
Detalles del producto
| Tipo de abrasivo: | Óxido de cerio | Tamaño de partícula (D50): | 50 – 150 nm |
|---|---|---|---|
| contenido sólido: | 5 – 20% en peso | pH: | 6,5 – 10,5 |
| apariencia: | líquido blanco | Tarifa del retiro: | Personalizable |
| Resaltar |
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Descripción de producto
Lodo CMP de alta pureza para planarización de obleas de silicio
Descripción del producto
Lodo CMP avanzado diseñado para el pulido de obleas de silicio en la fabricación de semiconductores. Ofrece una excelente planarización de la superficie, baja defectividad, tasa de eliminación estable y calidad superior de la superficie de la oblea para aplicaciones IC, MEMS y electrónicas avanzadas.
Características clave
- Alta eficiencia de planarización para obleas de silicio
- Excelente suavidad de la superficie y bajo rendimiento de rayado
- Distribución de tamaño de partícula estable para consistencia del proceso
- Baja defectividad y riesgo de contaminación reducido
- Compatible con procesos CMP de semiconductores avanzados
- Adecuado para equipos de pulido de precisión y líneas automatizadas
Distribución del tamaño de partículaAplicaciones
Pulido CMP de obleas de silicio
- Planarización de obleas de semiconductores
- Pulido de sustratos electrónicos avanzados
- Procesamiento de semiconductores de precisión
- ¿Por qué elegir Lichen como su proveedor global?
Fabricante dedicado de pulido de cerio y alúmina
- Cadena de suministro estable de materias primas de tierras raras
- Capacidad de ingeniería de partículas personalizada
- Control de calidad consistente lote a lote
- Soporte técnico para la optimización del proceso de pulido
Lo más destacado del producto
Lodo CMP de alta pureza para planarización de obleas de silicio Descripción del producto Lodo CMP avanzado diseñado para el pulido de obleas de silicio en la fabricación de semiconductores. Ofrece una excelente planarización de la superficie, baja defectividad, tasa de eliminación estable y calidad ...
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