Hochreine CMP-Slurry zur Planarisierung von Siliziumwafern
Produktdetails
| Schleifmittel: | Ceroxid | Partikelgröße (D50): | 50 – 150 nm |
|---|---|---|---|
| solider Inhalt: | 5 – 20 Gew.-% | pH-Wert: | 6,5 – 10,5 |
| Aussehen: | weiße Flüssigkeit | Abbau-Rate: | Anpassbar |
| Hervorheben |
hoch reine CMP-Slurry,Siliziumwafer-Planarisierungs-Slurry,Seltene Erdenpolisherschlamm |
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Produkt-Beschreibung
Hochreine CMP-Slurry für die Planarisierung von Siliziumwafern
Produktübersicht
Fortschrittliche CMP-Slurry, entwickelt für das Polieren von Siliziumwafern in der Halbleiterfertigung. Bietet exzellente Oberflächenplanarität, geringe Defektdichte, stabile Abtragsrate und überlegene Waferoberflächenqualität für IC-, MEMS- und fortschrittliche Elektronikanwendungen.
Hauptmerkmale
- Hohe Planarisierungseffizienz für Siliziumwafer
- Exzellente Oberflächenglätte und geringe Kratzerbildung
- Stabile Partikelgrößenverteilung für Prozesskonsistenz
- Geringe Defektdichte und reduziertes Kontaminationsrisiko
- Kompatibel mit fortschrittlichen Halbleiter-CMP-Prozessen
- Geeignet für Präzisionspolierausrüstung und automatisierte Linien
PartikelgrößenverteilungAnwendungen
CMP-Polieren von Siliziumwafern
- Planarisierung von Halbleiterwafern
- Polieren von fortschrittlichen elektronischen Substraten
- Präzise Halbleiterbearbeitung
- Warum Lichen als Ihr globaler Lieferant wählen
Spezialisierter Hersteller von Ceria- und Aluminiumoxid-Polierprodukten
- Stabile Lieferkette für Seltene Erden Rohstoffe
- Maßgeschneiderte Partikel-Engineering-Fähigkeiten
- Konsistente Chargen-zu-Chargen-Qualitätskontrolle
- Technische Unterstützung für die Optimierung von Polierprozessen
Produkt-Highlights
Hochreine CMP-Slurry für die Planarisierung von Siliziumwafern Produktübersicht Fortschrittliche CMP-Slurry, entwickelt für das Polieren von Siliziumwafern in der Halbleiterfertigung. Bietet exzellente Oberflächenplanarität, geringe Defektdichte, stabile Abtragsrate und überlegene Waferoberfl...
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