Kratzerfreie Ceria CMP-Slurry für Halbleiter- und Siliziumwafer-Politur
Produktdetails
| Schleifmittel: | CeO2 | Partikelgröße (D50): | 80 – 200 nm |
|---|---|---|---|
| solider Inhalt: | 5 – 30 Gew.-% | pH-Wert: | 6,5 – 8,5 |
| Aussehen: | Weiße Gülle | Stabilität der Dispersion: | Hoch |
| Hervorheben |
Ceria CMP-Slurry für Halbleiterpolituren,Kratzerfreie Polierschlämme für Siliziumwafer,Seltene Erden CMP-Slurry mit Garantie |
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Produkt-Beschreibung
Kratzerfreie Ceria CMP-Slurry für Halbleiter- und Siliziumwafer-Politur
Produktübersicht
Die kratzerfreie Ceriumoxid-CMP-Slurry ist speziell für die Politur von Halbleiterwafern und fortschrittlichen Substraten formuliert, bei denen Fehlerkontrolle und ultra-glatte Oberflächen entscheidend sind. Die entwickelten nano-skaligen Ceria-Partikel bieten eine überlegene Fehlerreduzierung bei gleichbleibender stabiler Abtragsleistung.
Ideal für die Endbearbeitung von Siliziumwafern und präzise Halbleiterfertigungsprozesse.
Hauptmerkmale
- Extrem geringe Kratzer- und Fehlerbildung
- Hohe Planarisierungseffizienz
- Hervorragende Waferoberflächengleichmäßigkeit
- Reduzierte Mikrokratzer und Gruben
- Technologie zur geringen Partikelagglomeration
- Geeignet für fortschrittliche CMP-Plattformen
PartikelgrößenverteilungAnwendungen
Präzisionsoptik-Linsenpolitur
- Photonik-Substrate und optische Glasveredelung
- Planarisierung von Laser-Kristalloberflächen
- Kameraoptiken und Bildgebungssysteme
- Prismen- und Spiegelpolitur
- Optische Kommunikationskomponenten
- Häufig gestellte Fragen
F1. Wofür wird Ceriumoxid-CMP-Slurry verwendet?
Ceriumoxid-CMP-Slurry ist ein chemisch-mechanisches Polierverfahren, das für die ultrapräzise Oberflächenveredelung entwickelt wurde. Es kombiniert mechanische Abriebwirkung und chemische Interaktion, um eine hohe Materialabtragsleistung zu erzielen und gleichzeitig eine ausgezeichnete Oberflächenglätte zu gewährleisten.
F2. Wie wähle ich die richtige Ceria-Slurry für meine Anwendung aus?
Die Auswahl hängt hauptsächlich vom Materialtyp und dem Prozessziel ab.
Unser technisches Team kann Sie bei der Optimierung der Slurry-Auswahl basierend auf der Poliermaschine, dem Polierpad-Typ und den Anforderungen an die Oberflächenqualität unterstützen.
F3. Welche Materialien können mit Ceria-Slurry poliert werden?
Ceriumoxid-CMP-Slurry eignet sich für eine breite Palette fortschrittlicher Materialien:
Optisches Glas
- Saphir
- Siliziumwafer
- Laser-Kristalle (YAG, etc.)
- Photonik-Substrate
- Verbund-Halbleitermaterialien
Produkt-Highlights
Kratzerfreie Ceria CMP-Slurry für Halbleiter- und Siliziumwafer-Politur Produktübersicht Die kratzerfreie Ceriumoxid-CMP-Slurry ist speziell für die Politur von Halbleiterwafern und fortschrittlichen Substraten formuliert, bei denen Fehlerkontrolle und ultra-glatte Oberflächen entscheidend sind. Die ...
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