Ceria CMP sans rayures Slurry pour le polissage des plaquettes de semi-conducteurs et de silicium
Détails de produit
| Matériau abrasif: | CeO2 | Taille des particules (D50): | 80 – 200 nm |
|---|---|---|---|
| contenu solide: | 5 à 30 % en poids | pH: | 6,5 – 8,5 |
| apparence: | Bouillie blanche | Stabilité de la dispersion: | Haut |
| Mettre en évidence |
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Description de produit
Pâte CMP à base d'oxyde de cérium sans rayures pour le polissage de semi-conducteurs et de wafers de silicium
Présentation du produit
La pâte CMP à base d'oxyde de cérium sans rayures est spécialement formulée pour le polissage de wafers de semi-conducteurs et de substrats avancés où le contrôle des défauts et les surfaces ultra-lisses sont essentiels. Les particules d'oxyde de cérium à l'échelle nanométrique conçues offrent une réduction supérieure des défauts tout en maintenant une efficacité d'enlèvement stable.
Idéal pour la finition des wafers de silicium et les processus de fabrication de semi-conducteurs de précision.
Caractéristiques principales
- Génération de rayures et de défauts ultra-faible
- Haute efficacité de planarisation
- Excellente uniformité de surface du wafer
- Réduction des micro-rayures et des piqûres
- Technologie à faible agglomération de particules
- Compatible avec les plateformes CMP avancées
Distribution de la taille des particulesApplications

Polissage de lentilles optiques de précision
- Finition de substrats photoniques et de verre optique
- Planarisation de surface de cristaux laser
- Optiques de caméra et systèmes d'imagerie
- Polissage de prismes et de miroirs
- Composants de communication optique
- Foire aux questions
Q1. À quoi sert la pâte CMP à base d'oxyde de cérium ?
La pâte CMP à base d'oxyde de cérium est un matériau de polissage chimico-mécanique conçu pour la finition de surface ultra-précise. Elle combine abrasion mécanique et interaction chimique pour obtenir une efficacité d'enlèvement de matière élevée tout en maintenant une excellente douceur de surface.
Q2. Comment sélectionner la pâte d'oxyde de cérium appropriée pour mon application ?
La sélection dépend principalement du type de matériau et de l'objectif du processus.
Notre équipe technique peut vous aider à optimiser la sélection de la pâte en fonction de la machine de polissage, du type de tampon et des exigences de qualité de surface.
Q3. Quels matériaux peuvent être polis avec une pâte à base d'oxyde de cérium ?
La pâte CMP à base d'oxyde de cérium convient à une large gamme de matériaux avancés :
Verre optique
- Saphir
- Wafers de silicium
- Cristaux laser (YAG, etc.)
- Substrats photoniques
- Matériaux semi-conducteurs composés
Points forts du produit
Pâte CMP à base d'oxyde de cérium sans rayures pour le polissage de semi-conducteurs et de wafers de silicium Présentation du produit La pâte CMP à base d'oxyde de cérium sans rayures est spécialement formulée pour le polissage de wafers de semi-conducteurs et de substrats avancés où le contrôle des ...
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