半導体・シリコンウェーハ研磨用スクラッチフリーセリアCMPスラリー
製品詳細
| アブラシブ材料: | CeO₂ | 粒径(D50): | 80～200nm |
|---|---|---|---|
| 固形物: | 5～30重量% | pH: | 6.5 – 8.5 |
| 外観: | 白いスラリー | 分散安定性: | 高い |
| ハイライト |
半導体研磨用セリアCMPスラリー,シリコンウェーハ用スクラッチフリー研磨スラリー,保証付き希土類CMPスラリー |
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製品の説明
半導体・シリコンウェーハ研磨用スクラッチフリーセリアCMPスラリー
製品概要
スクラッチフリー酸化セリウムCMPスラリーは、欠陥制御と超平滑面が不可欠な半導体ウェーハおよび先端基板研磨用に特別に配合されています。ナノスケールの酸化セリウム粒子は、安定した除去効率を維持しながら、優れた欠陥低減を実現します。
シリコンウェーハ仕上げおよび精密半導体製造プロセスに最適です。
主な特徴
- 超低スクラッチ・欠陥発生
- 高い平坦化効率
- 優れたウェーハ表面均一性
- マイクロスクラッチ・ピットの低減
- 低粒子凝集技術
- 先端CMPプラットフォームに対応
粒子径分布用途
精密光学レンズ研磨
- フォトニクス基板および光学ガラス仕上げ
- レーザー結晶表面平坦化
- カメラ光学およびイメージングシステム
- プリズム・ミラー研磨
- 光通信部品
- よくある質問
Q1. 酸化セリウムCMPスラリーは何に使用されますか？
酸化セリウムCMPスラリーは、超精密表面仕上げ用に設計された化学機械研磨材料です。機械的研磨と化学的相互作用を組み合わせることで、高い材料除去効率を達成しながら、優れた表面平滑性を維持します。
Q2. アプリケーションに合った酸化セリウムスラリーをどのように選択しますか？
選択は主に材料の種類とプロセスの目標によって決まります。
当社の技術チームは、研磨機、パッドの種類、表面品質の要件に基づいてスラリー選択を最適化するお手伝いができます。
Q3. 酸化セリウムスラリーで研磨できる材料は何ですか？
酸化セリウムCMPスラリーは、幅広い先端材料に適しています。
光学ガラス
- サファイア
- シリコンウェーハ
- レーザー結晶（YAGなど）
- フォトニクス基板
- 化合物半導体材料
製品 ハイライト
半導体・シリコンウェーハ研磨用スクラッチフリーセリアCMPスラリー 製品概要 スクラッチフリー酸化セリウムCMPスラリーは、欠陥制御と超平滑面が不可欠な半導体ウェーハおよび先端基板研磨用に特別に配合されています。ナノスケールの酸化セリウム粒子は、安定した除去効率を維持しながら、優れた欠陥低減を実現します。 シリコンウェーハ仕上げおよび精密半導体製造プロセスに最適です。 主な特徴 超低スクラッチ・欠陥発生 高い平坦化効率 優れたウェーハ表面均一性 マイクロスクラッチ・ピットの低減 低粒子凝集技術 先端CMPプラットフォームに対応 粒子径分布用途 精密光学レンズ研磨 フォトニクス基板および光学ガラ...
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