CMPセリウムオキシド 半導体ガラスウエファーのための磨き粉
製品詳細
| 粒子サイズ: | 0.1-0.3μm | CAS番号: | 1306-38-3 |
|---|---|---|---|
| CeO₂: | 99% | 停止率: | 高い |
| Ph 範囲: | 7-10 | 応用: | 半導体ウェーハ |
| ハイライト |
半導体セリウムオキシドの磨き粉,ガラス・ウェーファー セリウムオキシドの磨き粉,cmp ウェーファー 磨き粉 |
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製品の説明
半導体ウェーフのためのセリウムオキシドの磨き粉
記述について
半導体ホイール用のリッセンセリウム酸化物磨き粉は,ホイール表面仕上げおよび平面化プロセスのために設計された高純度,精密設計の磨材である.細かく制御された粒子の大きさ分布と低金属性不純物この磨き粉末は,均質な材料除去,優れた表面の滑らかさと,欠陥密度が低く,現代の半導体製造の厳格な要件をサポートします.
この製品はガラスのウエファー,オキシド層,および特殊半導体基板に適しており,CMPに関連するプロセスと精密機械的な磨き段階の両方で使用できます.
主要 な 特徴 と 利点
超高純度セリウム酸化物
低金属およびイオン不純性は,ウエファー汚染とデバイスの欠陥を防ぐのに役立ちます.
狭い粒子の大きさ分布
均質な磨き効果を保証し,傷,穴,表面の不均一性を軽減します.
安定した物質除去率
厳格なプロセス制御のために予測可能な磨き性能を提供します.
低欠陥生成
微小の傷や霧や表面損傷を最小限に抑えるように設計されています
優れたバッチ一致性
大量の半導体生産で 繰り返しできる結果が 得られます
技術データ
| 分子式 | CAS番号 | CeO2 % | D50 (μm) | 外見 | 適用する |
| CeO2 | 1306-38-3 | 99% | 0.1-0.3μm | 磨き粉 | 半導体ウエフラー |
粒子の大きさの分布について
Q&A
1稀土の磨き粉とは?
光学部品や半導体ウェーファーや ガラスやレンズなどの繊細な表面を 磨くのに使用される 高純度化合物です高透明度で材料を損傷することなく仕上げ.
2稀土の磨き粉を どう選べますか?
理想的な磨き粉を選ぶには,磨いている材料,必要な仕上げ,粒子の大きさや純度などの要素を考慮してください.あなたのニーズに最適な製品を選択するのに役立ちます..
3稀土の磨き粉を どうやって保管すればいいですか?
温かい乾燥した場所に保管し,湿度や日光から遠ざけます. 汚染を防止し有効性を維持するために,粉末を気密容器に保管します.通常は1〜2年続きます.
4稀土の製剤を 提供していますか?
はい,私たちは,あなたの特定のニーズを満たすために,細粒子のサイズ,化学的組成,またはスラムの一貫性調整を含む,カスタム稀土の磨き粉やスラムを提供しています.
5大量注文する前にサンプルを貰えますか?
絶対! 評価のためにサンプルを用意します. サンプルを依頼するためにチームに連絡してください. そして私たちは出荷を整理します.
6どうすれば注文できますか? 典型的な配達時間は?
注文をするには,単に販売チームと連絡してください. 彼らはプロセスを通してあなたを案内し,オートを提供します. 配達時間は,注文のサイズ,場所,および在庫の可用性によって異なります.オーダーが確認されたら 予定表を教えます.
製品 ハイライト
半導体ウェーフのためのセリウムオキシドの磨き粉 記述について 半導体ホイール用のリッセンセリウム酸化物磨き粉は,ホイール表面仕上げおよび平面化プロセスのために設計された高純度,精密設計の磨材である.細かく制御された粒子の大きさ分布と低金属性不純物この磨き粉末は,均質な材料除去,優れた表面の滑らかさと,欠陥密度が低く,現代の半導体製造の厳格な要件をサポートします. この製品はガラスのウエファー,オキシド層,および特殊半導体基板に適しており,CMPに関連するプロセスと精密機械的な磨き段階の両方で使用できます. 主要 な 特徴 と 利点 超高純度セリウム酸化物 低金属およびイオン不純性は,ウエファー...
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