CMPセリウムオキシド 稀土の磨きスラープーダー シリコン・ウェーファー オーダーメイド
製品詳細
| 粒子サイズ: | 3.0±0.2μm | CAS番号: | 1306-38-3 |
|---|---|---|---|
| CeO₂: | 99% | 停止率: | 高い |
| Ph 範囲: | 7-10 | 配合: | カスタマイズされた |
| ハイライト |
オーダーメイドの稀土磨きスラー,シリコン・ウェーファー 稀土の磨きスラム,シリコン・ウェーファーセリウム・ポーリング・パウダー |
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製品の説明
シリコン・ウェーファー用シリウム酸化物CMP磨きスラム
記述
原子レベルの平らさと優れた装置の出力を 達成する シリアルセリウム酸化物 (CeO2) CMPスラリー半導体製造における最も要求の高い化学機械平面化 (CMP) プロセスのために特別に設計された.
2026年には ワッフル幾何学が 複雑化していくにつれて セルリアベースの製剤は 高い選択性と 非常に低い欠陥性を 提供します
卓越したパフォーマンス
高精選性および除去率:精密な性能のために設計されたスラリーは,高い物質除去率 (MRR) を維持しながら調節可能な精選性比を提供します.
ナノ欠陥制御: 単分散型・100nm未満の粒子技術を利用して 微小の傷や表面の穴を ほぼ排除し ウェファーの収穫量を大幅に増加します
高級ススペンション安定性: 私たちの製剤は,粒子集積を防止する独自の安定剤を備えています大量生産で最初のウエファーから最後のウエファーまで一貫したパフォーマンスを確保する.
高純度 (>99%): 高水準を満たすために精製され,微量金属とイオン汚染を防止する.
技術データ
| 分子式 | CAS番号 | CeO2 % | D50 (μm) | 外見 | 適用する |
| CeO2 | 1306-38-3 | 99% | 3.0±02 | 白いスラム | シリコン・ウェーバー |
Q&A
1稀土の磨き粉とは?
光学部品や半導体ウェーファーや ガラスやレンズなどの繊細な表面を 磨くのに使用される 高純度化合物です高透明度で材料を損傷することなく仕上げ.
2稀土の磨き粉を どう選べますか?
理想的な磨き粉を選ぶには,磨いている材料,必要な仕上げ,粒子の大きさや純度などの要素を考慮してください.あなたのニーズに最適な製品を選択するのに役立ちます..
3稀土の磨き粉を どうやって保管すればいいですか?
温かい乾燥した場所に保管し,湿度や日光から遠ざけます. 汚染を防止し有効性を維持するために,粉末を気密容器に保管します.通常は1〜2年続きます.
4稀土の製剤を 提供していますか?
はい,私たちは,あなたの特定のニーズを満たすために,細粒子のサイズ,化学的組成,またはスラムの一貫性調整を含む,カスタム稀土の磨き粉やスラムを提供しています.
5大量注文する前にサンプルを貰えますか?
絶対! 評価のためにサンプルを用意します. サンプルを依頼するためにチームに連絡してください. そして私たちは出荷を整理します.
6どうすれば注文できますか? 典型的な配達時間は?
注文をするには,単に販売チームと連絡してください. 彼らはプロセスを通してあなたを案内し,オートを提供します. 配達時間は,注文のサイズ,場所,および在庫の可用性によって異なります.オーダーが確認されたら 予定表を教えます.
製品 ハイライト
シリコン・ウェーファー用シリウム酸化物CMP磨きスラム 記述 原子レベルの平らさと優れた装置の出力を 達成する シリアルセリウム酸化物 (CeO2) CMPスラリー半導体製造における最も要求の高い化学機械平面化 (CMP) プロセスのために特別に設計された. 2026年には ワッフル幾何学が 複雑化していくにつれて セルリアベースの製剤は 高い選択性と 非常に低い欠陥性を 提供します 卓越したパフォーマンス 高精選性および除去率:精密な性能のために設計されたスラリーは,高い物質除去率 (MRR) を維持しながら調節可能な精選性比を提供します. ナノ欠陥制御: 単分散型・100nm未満の粒子技術...
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