Polvo de pulido de óxido de cerio de grado semiconductor para obleas y sustratos avanzados
Detalles del producto
| Pureza: | ≥ 99,9% | D50: | 0,2 – 0,6 µm |
|---|---|---|---|
| Capacidad de acabado superficial: | Nivel nanométrico | pH (suspensión al 15%): | 6,5 – 8,5 |
| apariencia: | Polvo amarillo claro | Estabilidad de dispersión: | Alto |
| Resaltar |
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Descripción de producto
Polvo de pulido de óxido de cerio de grado semiconductor para obleas y sustratos avanzados
Descripción general del producto
El polvo de pulido de óxido de cerio de grado semiconductor está formulado para aplicaciones de pulido sensibles a defectos en la fabricación de semiconductores y sustratos electrónicos avanzados. La pureza controlada y la ingeniería de partículas reducen los riesgos de contaminación al tiempo que garantizan un rendimiento de planarización constante.
Optimizado para la preparación de suspensiones CMP utilizadas en el procesamiento de obleas semiconductoras.
Características clave
- Material de ultra alta pureza
- Bajos niveles de impurezas metálicas
- Excelente dispersión en la formulación de suspensiones CMP
- Tasa de eliminación controlada
- Reducción de la formación de arañazos y defectos
- Rendimiento de pulido estable
Distribución del tamaño de partículaAplicaciones
Pulido de obleas de silicio
- Preparación de sustratos semiconductores
- Materiales semiconductores compuestos
- Sustratos de empaquetado avanzados
- Pulido electrónico y microelectrónico
- Preguntas frecuentes
P1. ¿Cuál es la diferencia entre los grados de polvo de pulido de óxido de cerio?
Los polvos de pulido de óxido de cerio están diseñados para diferentes etapas y materiales de pulido.
La selección del grado adecuado depende del material del sustrato, la rugosidad superficial requerida y las condiciones del proceso de pulido.
P2. ¿Qué materiales se pueden pulir con polvo de pulido de óxido de cerio?
El polvo de pulido de óxido de cerio se utiliza ampliamente en industrias de fabricación avanzada y es adecuado para:
Vidrio óptico y sílice fundida
- Cristales de zafiro y láser
- Componentes fotónicos
- Obleas de silicio
- Sustratos semiconductores
- Elementos ópticos y láser de precisión
- Su mecanismo de pulido químico-mecánico permite un excelente acabado superficial con un daño mínimo en la subsuperficie.
P3. ¿Se puede personalizar el polvo de pulido de óxido de cerio para procesos de pulido específicos?
Sí. El polvo de pulido de óxido de cerio se puede adaptar según los requisitos del cliente, que incluyen:
Distribución del tamaño de partícula
- Rendimiento de la tasa de eliminación
- Objetivos de acabado superficial
- Concentración de preparación de la suspensión
- Formulaciones específicas para la aplicación
- El soporte técnico y la evaluación de muestras suelen estar disponibles para optimizar el rendimiento del pulido para diferentes equipos y materiales.
Lo más destacado del producto
Polvo de pulido de óxido de cerio de grado semiconductor para obleas y sustratos avanzados Descripción general del producto El polvo de pulido de óxido de cerio de grado semiconductor está formulado para aplicaciones de pulido sensibles a defectos en la fabricación de semiconductores y sustratos ...
Polvo de pulido de óxido de cerio de grado semiconductor para obleas y sustratos avanzados
Semiconductor Grade Cerium Oxide Polishing Powder for Wafer & Advanced Substrates Product Overview Semiconductor Grade Cerium Oxide Polishing Powder is formulated for defect-sensitive polishing applications in semiconductor and advanced electronic substrate manufacturing. The controlled purity and particle engineering reduce contamination risks while ensuring consistent planarization performance. Optimized for preparation of CMP slurries used in semiconductor wafer processing
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