Halbleiterqualitäts-Ceroxid-Poliermittel für Wafer & fortschrittliche Substrate
Produktdetails
| Reinheit: | ≥ 99,9 % | D50: | 0,2 – 0,6 µm |
|---|---|---|---|
| Fähigkeit zur Oberflächenbeschaffenheit: | Nanometerebene | pH (15 % Suspension): | 6,5 – 8,5 |
| Aussehen: | Hellgelbes Pulver | Stabilität der Dispersion: | Hoch |
| Hervorheben |
Ceroxid-Pulver in Halbleiterqualität,Ceroxid-Poliermittel für Wafer,Seltenerd-Poliermittel für Substrate |
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Produkt-Beschreibung
Ceriumoxidpolierpulver für Wafer und fortgeschrittene Substrate in Halbleiterqualität
Produktübersicht
Cerium-Oxid-Polierpulver für Halbleiter ist für defektempfindliche Polieranwendungen in der Halbleiter- und fortschrittlichen elektronischen Substratherstellung entwickelt worden.Die kontrollierte Reinheit und Partikeltechnik reduzieren die Kontaminationsrisiken und gewährleisten gleichzeitig eine gleichbleibende Planarisierung.
Optimiert für die Herstellung von CMP-Schlamm, der bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern verwendet wird.
Wesentliche Merkmale
- Material mit hoher Reinheit
- Niedriges Niveau an Metallverunreinigungen
- Ausgezeichnete Dispersion in der Formulierung mit CMP-Schlamm
- Kontrollierte Entfernungsrate
- Verringerte Kratzer und Defektbildung
- Stabile Polierleistung
PartikelgrößenverteilungDie
Anwendungen
- Polieren von Siliziumwaffen
- Zubereitung von Halbleiter-Substraten
- Zusammengesetzte Halbleitermaterialien
- Weiterentwickelte Verpackungssubstrate
- Elektronisches und mikroelektronisches Polieren
Häufig gestellte Fragen
Q1. Was ist der Unterschied zwischen den Cerium-Oxid-Polierpulverqualitäten?
Cerium-Oxid-Polierpulver sind für verschiedene Polierstufen und Materialien ausgelegt.
Die Auswahl der richtigen Qualität hängt vom Substratmaterial, der erforderlichen Oberflächenrauheit und den Bedingungen des Polierprozesses ab.
Q2. Welche Materialien können mit Cerium-Oxid-Polierpulver poliert werden?
Ceriumoxidpolierpulver wird in der fortgeschrittenen verarbeitenden Industrie weit verbreitet und eignet sich für:
- Glas für optische Zwecke und geschmolzenes Silizium
- Saphirkristalle und Laserkristalle
- Photonikkomponenten
- mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm
- Halbleiter-Substrate
- Präzisionsoptische und Laserelemente
Der chemisch-mechanische Poliermechanismus ermöglicht eine hervorragende Oberflächenveredelung mit minimalem Untergrundschaden.
Q3. Kann Cerium-Oxid-Polierpulver für spezifische Polierverfahren angepasst werden?
Cerium-Oxid-Polierpulver kann je nach Kundenanforderungen angepasst werden, einschließlich:
- Partikelgrößenverteilung
- Leistung der Entfernung
- Oberflächenveredelungsziele
- Konzentration der Schlammvorbereitung
- Anwendungsspezifische Formulierungen
Technische Unterstützung und Probenauswertung stehen in der Regel zur Verfügung, um die Polierleistung für verschiedene Geräte und Materialien zu optimieren.
Produkt-Highlights
Ceriumoxidpolierpulver für Wafer und fortgeschrittene Substrate in Halbleiterqualität Produktübersicht Cerium-Oxid-Polierpulver für Halbleiter ist für defektempfindliche Polieranwendungen in der Halbleiter- und fortschrittlichen elektronischen Substratherstellung entwickelt worden.Die kontrollierte ...
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