알루미나 CMP 슬러리 | 반도체 화학 기계 연마용 고성능 산화알루미늄 슬러리
제품 상세정보
| D50: | 50~300nm | pH: | 3 – 11 |
|---|---|---|---|
| 솔리드 콘텐트: | 5 – 25 | 입자 분포: | 좁은 PSD |
| 분산 안정성: | 훌륭한 | 결함 성능: | 낮은 스크래치율 |
| 강조하다 |
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제품 설명
알루미나 CMP 슬러리. 반도체 화학 기계 평형화를 위한 고성능 알루미늄 산화물 슬러리.
개요:
반도체 웨이퍼 평면화를 위해 고순도 알루미나 CMP 매립물. 안정적인 분산, 제어 가능한 제거 속도, 고급 CMP 프로세스에 대한 우수한 표면 균일성.
주요 특징 및 장점
우수한 평면화 성능
반도체 제조에 필요한 균일한 재료 제거와 우수한 표면 평면성을 제공합니다.
통제 된 제거 비율
최적화 된 가러기 및 화학 균형은 다른 웨이퍼 재료에 대한 정확한 닦기 통제를 가능하게합니다.
저 결함 발생
높은 분산 안정성은 입자 집적도를 최소화하여 경사 및 결함을 줄입니다.
안정적인 CMP 운영
길게 닦는 사이클과 자동 생산에서 일관된 매립 성능을 유지합니다.
높은 프로세스 호환성
다양한 CMP 플랫폼 및 닦기 패드 시스템에 적합합니다.
입자 크기 분포
전형적 사용법
반도체 제조
- 실리콘 웨이퍼 CMP
- 산화질층 평면화
- 금속층 닦기
- 중층 다이렉트릭 롤링
질문 및 답변
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제품 하이라이트
알루미나 CMP 슬러리. 반도체 화학 기계 평형화를 위한 고성능 알루미늄 산화물 슬러리. 개요: 반도체 웨이퍼 평면화를 위해 고순도 알루미나 CMP 매립물. 안정적인 분산, 제어 가능한 제거 속도, 고급 CMP 프로세스에 대한 우수한 표면 균일성. 주요 특징 및 장점 우수한 평면화 성능 반도체 제조에 필요한 균일한 재료 제거와 우수한 표면 평면성을 제공합니다. 통제 된 제거 비율 최적화 된 가러기 및 화학 균형은 다른 웨이퍼 재료에 대한 정확한 닦기 통제를 가능하게합니다. 저 결함 발생 높은 분산 안정성은 입자 집적도를 최소화하여 ...
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