Slurry CMP de aluminio. Slurry de óxido de aluminio de alto rendimiento para planarización mecánica química y semiconductora.
Detalles del producto
| D50: | 50 – 300 nm | pH: | 3 – 11 |
|---|---|---|---|
| contenido sólido: | 5 – 25 | Distribución de partículas: | PSD estrecho |
| Estabilidad de dispersión: | Excelente | Rendimiento de defectos: | Tasa de raspado baja |
| Resaltar |
Esmerile de aluminio CMP para semiconductores,Esmerile de óxido de aluminio de alto rendimiento,Esparcimiento de planarización química mecánica |
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Descripción de producto
Slurry CMP de aluminio. Slurry de óxido de aluminio de alto rendimiento para planarización mecánica química y semiconductora.
Resumen general:
Llorera de CMP de alumina de alta pureza diseñada para la planarización de obleas de semiconductores. Dispersión estable, tasa de eliminación controlable y excelente uniformidad superficial para procesos avanzados de CMP.
Características y ventajas clave
Excelente rendimiento de planarización
Proporciona una eliminación uniforme del material y una superficie plana superior requerida en la fabricación de semiconductores.
Tasa de eliminación controlada
El equilibrio abrasivo y químico optimizado permite un control de pulido preciso para diferentes materiales de obleas.
Generación de defecto bajo
La alta estabilidad de dispersión minimiza la aglomeración de partículas, reduciendo los arañazos y los defectos.
Funcionamiento estable de la CMP
Mantenga un rendimiento constante del estiércol durante ciclos de pulido largos y producción automatizada.
Alta compatibilidad de los procesos
Adecuado para varias plataformas CMP y sistemas de almohadillas de pulido.
Distribución del tamaño de las partículas
Aplicaciones típicas
Fabricación de semiconductores
- Wafer de silicio CMP
- Planarización de la capa de óxido
- Polido de capas metálicas
- Polido dieléctrico entre capas
Pregunta y respuesta
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Lo más destacado del producto
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