Qualität Hochreine Ceroxid-CMP-Slurry für Siliziumwafer-Planarisierung & Halbleiterfertigung Fabrik
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Hochreine Ceroxid-CMP-Slurry für Siliziumwafer-Planarisierung & Halbleiterfertigung

Markenbezeichnung: LICHEN
Modellnummer: LC
Herkunftsort: China
Zertifizierung: ISO
Mindestbestellmenge: 20 kg
Preis: Contact us
Versorgungsfähigkeit: 3000MT/year

Produktdetails


Reinheit: ≥ 99,9 % solider Inhalt: 5–30 Gew.-%
Partikelgröße (D50): 50 – 150 nm pH-Bereich: Anpassbar
Defektdichte: ultra-niedrig Stabilität der Dispersion: Exzellent
Hervorheben

Ceroxid-CMP-Slurry

,

Siliziumwafer-Polierschlamm

,

Halbleiter-CMP-Slurry

Produkt-Beschreibung


High-Purity Cerium Oxide CMP Schlamm für die Planalisierung von Siliziumwafern und Halbleiterherstellung

Produktübersicht

Unser Cerium-Oxid-CMP-Poligeschlauch wurde für die hochpräzise Planisierung von Siliziumwafern entwickelt, die in der fortgeschrittenen Halbleiterherstellung verwendet werden.Der Schlamm kombiniert kontrollierte mechanische Abrieb mit optimierter chemischer Aktivität, um eine ausgezeichnete Oberflächenflachheit zu erzielen, geringe Defektivität und überlegene Oberflächenintegrität.

Die Formulierung wurde für moderne CMP-Prozesse entwickelt und bietet eine stabile Entfernung und minimiert dabei Mikroschrammen, Partikelkontamination und Oberflächenschäden.Das Produkt unterstützt Produktionsumgebungen mit hohem Ertrag, die eine gleichbleibende Waferqualität und Prozesswiederholbarkeit erfordern.

Wichtige technische Vorteile

  • Ultra-niedrige Lenkleistung mit defektiven Eigenschaften
  • Kontrollierte Siliziumentfernungsrate
  • Ausgezeichnete Oberflächenplanarität und Gleichförmigkeit
  • Reduzierte Mikroschabenerzeugung
  • Stabile Schlammdispersion und lange Lebensdauer
  • Kompatibel mit automatisierten CMP-Geräten
  • Hohe Konsistenz zwischen den Chargen


PartikelgrößenverteilungDie

Hochreine Ceroxid-CMP-Slurry für Siliziumwafer-Planarisierung & Halbleiterfertigung 0

Anwendungen

  • Silikonwaferplanisierung
  • Oberflächenveredelung
  • Gerät für die Oberflächenpolierung der Wafer
  • CMP-vorreinigende Polierschritte
  • Zubereitung von Halbleiter-Substraten

Produkt-Highlights

High-Purity Cerium Oxide CMP Schlamm für die Planalisierung von Siliziumwafern und Halbleiterherstellung Produktübersicht Unser Cerium-Oxid-CMP-Poligeschlauch wurde für die hochpräzise Planisierung von Siliziumwafern entwickelt, die in der fortgeschrittenen Halbleiterherstellung verwendet werden.Der ...

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