고순도 세리움 산화물 CMP 슬러리 실리콘 웨이퍼 평면화 및 반도체 제조
제품 상세정보
| 청정: | ≥ 99.9% | 솔리드 콘텐트: | 5~30중량% |
|---|---|---|---|
| 입자 크기(D50): | 50~150nm | Ph 범위: | 맞춤형 |
| 결함 밀도: | 극히 낮습니다 | 분산 안정성: | 훌륭한 |
| 강조하다 |
세리움 산화물 CMP 매일,실리콘 웨이퍼 닦기 매료,반도체 CMP 매일 |
||
제품 설명
고순도 세리움 산화물 CMP 슬러리 실리콘 웨이퍼 평면화 및 반도체 제조
제품 개요
우리의 세리움 산화물 CMP 닦는 매체는 첨단 반도체 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼의 초정밀 평면화를 위해 설계되었습니다.용액은 제어 된 기계적 가려움과 최적화 된 화학 활동을 결합하여 탁월한 표면 평면성을 달성합니다., 낮은 결함, 우수한 웨이퍼 표면 무결성.
현대 CMP 프로세스에 설계된 이 조식은 마이크로 스크래치, 입자 오염 및 표면 손상을 최소화하면서 안정적인 제거율을 제공합니다.제품은 고출력 생산 환경을 지원하며 일관된 웨이퍼 품질과 프로세스 반복성을 요구합니다..
주요 기술 이점
- 극히 낮은 결함 성능
- 제어된 실리콘 제거율
- 탁월한 표면 평면성 및 균일성
- 미세 스크래치 발생 감소
- 안정적인 매립물 분산과 긴 수명
- 자동 CMP 장비와 호환됩니다.
- 대량에서 대량으로 높은 일관성
입자 크기 분포의정
신청서
- 실리콘 웨이퍼 평면화
- 프라임 웨이퍼 가공
- 기기 웨이퍼 표면 닦기
- CMP 사전 청소 닦기 단계
- 반도체 기판 제조
제품 하이라이트
고순도 세리움 산화물 CMP 슬러리 실리콘 웨이퍼 평면화 및 반도체 제조 제품 개요 우리의 세리움 산화물 CMP 닦는 매체는 첨단 반도체 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼의 초정밀 평면화를 위해 설계되었습니다.용액은 제어 된 기계적 가려움과 최적화 된 화학 활동을 결합하여 탁월한 표면 평면성을 달성합니다., 낮은 결함, 우수한 웨이퍼 표면 무결성. 현대 CMP 프로세스에 설계된 이 조식은 마이크로 스크래치, 입자 오염 및 표면 손상을 최소화하면서 안정적인 제거율을 제공합니다.제품은 고출력 생산 환경을 지원하며 일관된 웨이퍼 품질과 프로...
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