Slurry CMP de óxido de cério de alta pureza para planarização de wafer de silício e fabricação de semicondutores
Detalhes do produto
| Pureza: | ≥ 99,9% | conteúdo sólido: | 5-30% em peso |
|---|---|---|---|
| Tamanho de partícula (D50): | 50 – 150 nm | Faixa de pH: | Personalizável |
| Densidade de defeito: | ultra-baixo | Estabilidade da dispersão: | Excelente |
| Destacar |
Lixo de óxido de cério CMP,Lâmina de polimento de wafer de silício,Sementes de CMP de semicondutores |
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Descrição do produto
Slurry CMP de óxido de cério de alta pureza para planarização de wafer de silício e fabricação de semicondutores
Visão geral do produto
A nossa lama de polimento CMP de óxido de cério é projetada para planarização de ultra-precisão de wafers de silício usados na fabricação avançada de semicondutores.A lama combina a abrasão mecânica controlada com atividade química otimizada para alcançar uma excelente planitude da superfície, baixa defectividade e superior integridade da superfície da bolacha.
Projetada para processos modernos de CMP, a formulação fornece taxas de remoção estáveis, minimizando micro arranhões, contaminação por partículas e danos à superfície.O produto suporta ambientes de produção de alto rendimento que exigem qualidade consistente da wafer e repetibilidade do processo.
Principais vantagens técnicas
- Desempenho de polimento com deficiência ultra-baixa
- Taxa controlada de remoção de silício
- Excelente planitude e uniformidade da superfície
- Redução da geração de micro arranhões
- Dispersão estável da lama e longa vida útil
- Compatível com equipamentos automatizados de CMP
- Alta consistência de lote para lote
Distribuição do tamanho das partículasAção
Aplicações
- Planarização de wafer de silício
- Revestimento de wafer
- Dispositivo para polir a superfície da bolacha
- Passos de polimento pré-limpeza CMP
- Preparação de substrato de semicondutores
Destaques do Produto
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