Lodo CMP de óxido de cerio de alta pureza para planarización de obleas de silicio y fabricación de semiconductores
Detalles del producto
| Pureza: | ≥ 99,9% | contenido sólido: | 5-30% en peso |
|---|---|---|---|
| Tamaño de partícula (D50): | 50 – 150 nm | Rango de pH: | Personalizable |
| Densidad de defectos: | ultrabajo | Estabilidad de dispersión: | Excelente |
| Resaltar |
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Descripción de producto
Slurry CMP de óxido de cerio de alta pureza para la planarización de obleas de silicio y la fabricación de semiconductores
Resumen del producto
Nuestra suspensión de pulido CMP de óxido de cerio está diseñada para la planarización ultra-precisa de obleas de silicio utilizadas en la fabricación avanzada de semiconductores.La suspensión combina la abrasión mecánica controlada con una actividad química optimizada para lograr una excelente planitud de la superficie, baja defectividad e integridad superior de la superficie de la oblea.
Diseñado para procesos modernos de CMP, la formulación proporciona tasas de eliminación estables al tiempo que minimiza los micro arañazos, la contaminación por partículas y el daño superficial.El producto soporta entornos de producción de alto rendimiento que requieren una calidad de obleas constante y la repetibilidad del proceso.
Ventajas técnicas clave
- Rendimiento de pulido de defecto muy bajo
- Tasa de eliminación de silicio controlada
- Excelente planitud y uniformidad de la superficie
- Reducción de la generación de micro arañazos
- Dispersión estable del lodo y larga vida útil
- Compatible con el equipo automatizado CMP
- Alta consistencia de lote a lote
Distribución del tamaño de las partículasEl
Aplicaciones
- Planarización de las obleas de silicio
- Finalización de las obeliscas
- Dispositivo de pulido de la superficie de las obleas
- Pasos de pulido antes de limpiar el CMP
- Preparación de sustratos de semiconductores
Lo más destacado del producto
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