シリコンウェーハ平坦化・半導体製造用高純度セリア研磨スラリー
製品詳細
| 純度: | ≥ 99.9% | 固形物: | 5～30重量% |
|---|---|---|---|
| 粒径(D50): | 50～150nm | Ph 範囲: | カスタマイズ可能 |
| 欠陥密度: | 超低い | 分散安定性: | 素晴らしい |
| ハイライト |
セリア研磨スラリー,シリコンウェーハ研磨スラリー,半導体CMPスラリー |
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製品の説明
高純度セリウム酸化CMPスラーリ シリコン・ウェーファー平面化および半導体製造
製品概要
私たちのセリウムオキシドCMP磨きスローリーは 先進的な半導体製造に使用される シリコンウエファーの超精密平面化のために設計されていますこのスローリーは,制御された機械的磨きと最適化された化学的活性を組み合わせて,優れた表面平らさを達成します.低欠陥性と優れたウエファー表面の整合性
現代のCMPプロセスのために設計され,微小の傷,粒子の汚染,表面損傷を最小限に抑えながら安定した除去率を提供します.製品には,一貫したウェーファー品質とプロセス再現性が要求される高出力生産環境がサポートされています.
主要な 技術 的 利点
- 極低の欠陥性のある磨き性能
- 制御されたシリコン除去率
- 優れた表面平らさと均質性
- 微細な傷の発生が減少する
- 安定したスラム分散と長寿命
- CMP機器と互換性がある
- 高級なセット対セット一貫性
粒子の大きさの分布について
申請
- シリコン・ウェーバー平面化
- プレミアム・ウェーファー仕上げ
- 装置のウエファー表面磨き
- CMP前清掃の磨き手順
- 半導体基板の調製
製品 ハイライト
高純度セリウム酸化CMPスラーリ シリコン・ウェーファー平面化および半導体製造 製品概要 私たちのセリウムオキシドCMP磨きスローリーは 先進的な半導体製造に使用される シリコンウエファーの超精密平面化のために設計されていますこのスローリーは,制御された機械的磨きと最適化された化学的活性を組み合わせて,優れた表面平らさを達成します.低欠陥性と優れたウエファー表面の整合性 現代のCMPプロセスのために設計され,微小の傷,粒子の汚染,表面損傷を最小限に抑えながら安定した除去率を提供します.製品には,一貫したウェーファー品質とプロセス再現性が要求される高出力生産環境がサポートされています. 主要な ...
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