Fortschrittliche Ceria CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern
Produktdetails
| Reinheit: | ≥ 99,95% | solider Inhalt: | 5–30 Gew.-% |
|---|---|---|---|
| Partikelgröße (D50): | 80 Nm | pH-Bereich: | Anpassbar |
| Defektdichte: | ultra-niedrig | Stabilität der Dispersion: | Exzellent |
| Hervorheben |
Ceria CMP-Slurry für Siliziumwafer,Halbleiter-Planarisations-Politur-Slurry,Seltene Erden CMP-Slurry mit Garantie |
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Produkt-Beschreibung
Fortschrittliche Ceria-CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern
Produktübersicht
Diese fortschrittliche Ceria-basierte CMP-Slurry ist für die hochpräzise Siliziumwafer-Politur optimiert, bei der eine Oberflächenkontrolle im Nanometerbereich erforderlich ist. Die chemisch aktiven Ceroxid-Partikel fördern eine effiziente Materialabtragung, während die Kristallintegrität erhalten bleibt und Schäden unter der Oberfläche minimiert werden.
Die Slurry ermöglicht eine verbesserte Wafer-Ebenheit, reduzierte Dishing- und Erosions-Effekte sowie eine verbesserte Prozessstabilität über große Waferdurchmesser hinweg.
Wichtige technische Vorteile
- Hohe Wafer-Ebenheitskontrolle
- Geringes Dishing und geringe Erosion
- Oberflächenrauheit im Nanometerbereich
- Hervorragende Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers
- Geringe Partikelagglomeration
- Einfache Reinigung nach CMP
- Geeignet für die Massenproduktion
PartikelgrößenverteilungAnwendungen
Endpolitur von Siliziumwafern
- CMP für Logik- und Speicherwafer
- Substrate für fortschrittliche Verpackungen
- Herstellung von 300-mm-Wafern
- Prozesse zur Reduzierung von Oberflächenfehlern
Produkt-Highlights
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