Qualität Fortschrittliche Ceria CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern Fabrik
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Qualität Fortschrittliche Ceria CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern Fabrik
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Fortschrittliche Ceria CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern

Markenbezeichnung: LICHEN
Modellnummer: LC
Herkunftsort: China
Zertifizierung: ISO
Mindestbestellmenge: 20 kg
Preis: Contact us
Versorgungsfähigkeit: 3000MT/year

Produktdetails


Reinheit: ≥ 99,95% solider Inhalt: 5–30 Gew.-%
Partikelgröße (D50): 80 Nm pH-Bereich: Anpassbar
Defektdichte: ultra-niedrig Stabilität der Dispersion: Exzellent
Hervorheben

Ceria CMP-Slurry für Siliziumwafer

,

Halbleiter-Planarisations-Politur-Slurry

,

Seltene Erden CMP-Slurry mit Garantie

Produkt-Beschreibung


Fortschrittliche Ceria-CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern

Produktübersicht

Diese fortschrittliche Ceria-basierte CMP-Slurry ist für die hochpräzise Siliziumwafer-Politur optimiert, bei der eine Oberflächenkontrolle im Nanometerbereich erforderlich ist. Die chemisch aktiven Ceroxid-Partikel fördern eine effiziente Materialabtragung, während die Kristallintegrität erhalten bleibt und Schäden unter der Oberfläche minimiert werden.

Die Slurry ermöglicht eine verbesserte Wafer-Ebenheit, reduzierte Dishing- und Erosions-Effekte sowie eine verbesserte Prozessstabilität über große Waferdurchmesser hinweg.

Wichtige technische Vorteile

  • Hohe Wafer-Ebenheitskontrolle
  • Geringes Dishing und geringe Erosion
  • Oberflächenrauheit im Nanometerbereich
  • Hervorragende Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers
  • Geringe Partikelagglomeration
  • Einfache Reinigung nach CMP
  • Geeignet für die Massenproduktion


PartikelgrößenverteilungAnwendungen

Fortschrittliche Ceria CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern 0

Endpolitur von Siliziumwafern

  • CMP für Logik- und Speicherwafer
  • Substrate für fortschrittliche Verpackungen
  • Herstellung von 300-mm-Wafern
  • Prozesse zur Reduzierung von Oberflächenfehlern

Produkt-Highlights

Fortschrittliche Ceria-CMP-Slurry für die Siliziumwafer-Politur und die Oberflächenplanarisation von Halbleitern Produktübersicht Diese fortschrittliche Ceria-basierte CMP-Slurry ist für die hochpräzise Siliziumwafer-Politur optimiert, bei der eine Oberflächenkontrolle im Nanometerbereich erforderli...

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