Slurry Ceria CMP avancé pour le polissage des plaquettes de silicium et la planarisation de la surface des semi-conducteurs
Détails de produit
| Pureté: | ≥ 99,95% | contenu solide: | 5-30% en poids |
|---|---|---|---|
| Taille des particules (D50): | 80 Nm | Plage de pH: | Personnalisable |
| Densité des défauts: | très réduit | Stabilité de la dispersion: | Excellent |
| Mettre en évidence |
Slurry Ceria CMP pour plaquettes de silicium,Slurry de polissage pour la planarisation des semi-conducteurs,Slurry CMP des terres rares avec garantie |
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Description de produit
Pâte CMP avancée à base de cérium pour le polissage de plaquettes de silicium et la planarisation de surface de semi-conducteurs
Présentation du produit
Cette pâte avancée à base de cérium est optimisée pour le polissage de plaquettes de silicium de haute précision où un contrôle de surface à l'échelle nanométrique est requis. Les particules d'oxyde de cérium chimiquement actives favorisent un enlèvement de matière efficace tout en préservant l'intégrité cristalline et en minimisant les dommages sous-jacents.
La pâte permet une meilleure planéité des plaquettes, une réduction des effets de creusement et d'érosion, et une stabilité de processus améliorée sur de grands diamètres de plaquettes.
Avantages techniques clés
- Contrôle de la planéité des plaquettes élevé
- Faible creusement et érosion
- Rugosité de surface à l'échelle nanométrique
- Excellente uniformité au sein de la plaquette
- Faible agglomération de particules
- Nettoyage post-CMP facile
- Adapté à la fabrication à haut volume
Distribution de la taille des particulesApplications
Polissage final de plaquettes de silicium
- CMP de plaquettes logiques et de mémoire
- Substrats d'emballage avancés
- Fabrication de plaquettes de 300 mm
- Processus de réduction des défauts de surface
Points forts du produit
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