Qualité Slurry Ceria CMP avancé pour le polissage des plaquettes de silicium et la planarisation de la surface des semi-conducteurs Usine
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Slurry Ceria CMP avancé pour le polissage des plaquettes de silicium et la planarisation de la surface des semi-conducteurs

Nom de marque: LICHEN
Numéro de modèle: LC
Lieu d'origine: Chine
Certification: ISO
Quantité de commande minimale: 20KGS
Prix: Contact us
Capacité à fournir: 3000MT/year

Détails de produit


Pureté: ≥ 99,95% contenu solide: 5-30% en poids
Taille des particules (D50): 80 Nm Plage de pH: Personnalisable
Densité des défauts: très réduit Stabilité de la dispersion: Excellent
Mettre en évidence

Slurry Ceria CMP pour plaquettes de silicium

,

Slurry de polissage pour la planarisation des semi-conducteurs

,

Slurry CMP des terres rares avec garantie

Description de produit


Pâte CMP avancée à base de cérium pour le polissage de plaquettes de silicium et la planarisation de surface de semi-conducteurs

Présentation du produit

Cette pâte avancée à base de cérium est optimisée pour le polissage de plaquettes de silicium de haute précision où un contrôle de surface à l'échelle nanométrique est requis. Les particules d'oxyde de cérium chimiquement actives favorisent un enlèvement de matière efficace tout en préservant l'intégrité cristalline et en minimisant les dommages sous-jacents.

La pâte permet une meilleure planéité des plaquettes, une réduction des effets de creusement et d'érosion, et une stabilité de processus améliorée sur de grands diamètres de plaquettes.

Avantages techniques clés

  • Contrôle de la planéité des plaquettes élevé
  • Faible creusement et érosion
  • Rugosité de surface à l'échelle nanométrique
  • Excellente uniformité au sein de la plaquette
  • Faible agglomération de particules
  • Nettoyage post-CMP facile
  • Adapté à la fabrication à haut volume


Distribution de la taille des particulesApplications

Slurry Ceria CMP avancé pour le polissage des plaquettes de silicium et la planarisation de la surface des semi-conducteurs 0

Polissage final de plaquettes de silicium

  • CMP de plaquettes logiques et de mémoire
  • Substrats d'emballage avancés
  • Fabrication de plaquettes de 300 mm
  • Processus de réduction des défauts de surface

Points forts du produit

Pâte CMP avancée à base de cérium pour le polissage de plaquettes de silicium et la planarisation de surface de semi-conducteurs Présentation du produit Cette pâte avancée à base de cérium est optimisée pour le polissage de plaquettes de silicium de haute précision où un contrôle de surface à l'...

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