Slurry CMP avanzata a base di ceria per la lucidatura di wafer di silicio e la planarizzazione della superficie dei semiconduttori
Dettagli del prodotto
| Purezza: | ≥ 99,95% | contenuto solido: | 5-30% in peso |
|---|---|---|---|
| Dimensione delle particelle (D50): | 80 Nm | Intervallo di pH: | Personalizzabile |
| Densità dei difetti: | ultrabasso | Stabilità della dispersione: | Eccellente |
| Evidenziare |
Slurry CMP a base di ceria per wafer di silicio,Slurry di lucidatura per la planarizzazione dei semiconduttori,Slurry CMP a base di terre rare con garanzia |
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Descrizione di prodotto
Slurry avanzata Ceria CMP per la lucidatura delle wafer di silicio e la planarizzazione della superficie dei semiconduttori
Visualizzazione del prodotto
Questo avanzato liquame CMP a base di ceria è ottimizzato per la lucidatura di wafer di silicio ad alta precisione in cui è richiesto un controllo superficiale su scala nanometrica.Le particelle di ossido di cerio chimicamente attive promuovono un'eficiente rimozione del materiale preservando l'integrità del cristallo e riducendo al minimo i danni sotterranei.
L'impasto consente una migliore piattezza dei wafer, riduzione degli effetti di dishing e erosione e maggiore stabilità del processo su grandi diametri dei wafer.
Principali vantaggi tecnici
- Controllo dell'elevata piattezza dei wafer
- Basso livello di rivestimento e erosione
- Roverezza superficiale a livello nanometrico
- Eccellente uniformità all'interno del wafer
- Basso livello di agglomerazione di particelle
- Facile pulizia post-CMP
- Adatti per la fabbricazione di grandi volumi
Distribuzione della dimensione delle particelleLa Commissione
Applicazioni
- Lustratura finale di wafer di silicio
- Wafer di logica e memoria CMP
- Substrati di imballaggio avanzati
- Fabbricazione di wafer da 300 mm
- Processi di riduzione dei difetti superficiali
Caratteristiche del prodotto
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