Ceria CMP avanzada Slurry para el pulido de obleas de silicio y la planarización de la superficie de semiconductores
Detalles del producto
| Pureza: | ≥ 99,95% | contenido sólido: | 5-30% en peso |
|---|---|---|---|
| Tamaño de partícula (D50): | No más de 80 Nm | Rango de pH: | Personalizable |
| Densidad de defectos: | ultrabajo | Estabilidad de dispersión: | Excelente |
| Resaltar |
Esmerile de Ceria CMP para obleas de silicio,Sementes de pulido para la planarización de semiconductores,Llorido de tierras raras con garantía |
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Descripción de producto
Ceria CMP avanzada Slurry para el pulido de obleas de silicio y la planarización de la superficie de semiconductores
Resumen del producto
Esta suspensión avanzada de CMP basada en ceria está optimizada para el pulido de obleas de silicio de alta precisión donde se requiere control de superficie a nanoescala.Las partículas químicamente activas de óxido de cerio promueven la eliminación eficiente de material mientras se preserva la integridad del cristal y se minimiza el daño subterráneo.
El estiércol permite una mayor planitud de la oblea, una reducción de los efectos de destilación y erosión, y una mayor estabilidad del proceso en diámetros de oblea grandes.
Ventajas técnicas clave
- Control de la planitud de la oblea
- Baja cobertura y erosión
- La rugosidad de la superficie a nivel de nanómetros
- Excelencia de la uniformidad dentro de la oblea
- Aglomeración baja de partículas
- Limpieza fácil después de la CMP
- Apto para la fabricación de grandes volúmenes
Distribución del tamaño de las partículasEl
Aplicaciones
- Limpieza final de las obleas de silicio
- Oblea de lógica y memoria CMP
- Substratos avanzados para envases
- Fabricación de obleas de 300 mm
- Procesos de reducción de defectos de superficie
Lo más destacado del producto
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