첨단 Ceria CMP 슬러리 실리콘 웨이퍼 롤링 및 반도체 표면 평형화
제품 상세정보
| 청정: | ≥ 99.95% | 솔리드 콘텐트: | 5~30중량% |
|---|---|---|---|
| 입자 크기(D50): | 80Nm | Ph 범위: | 맞춤형 |
| 결함 밀도: | 극히 낮습니다 | 분산 안정성: | 훌륭한 |
| 강조하다 |
시리콘 웨이퍼를 위한 Ceria CMP 매립물,반도체 평형화 닦기 매료,희토류 CMP 매립물 |
||
제품 설명
첨단 Ceria CMP 슬러리 실리콘 웨이퍼 롤링 및 반도체 표면 평형화
제품 개요
이 첨단 세리아 기반 CMP 슬러리는 나노 스케일 표면 통제가 필요한 고 정밀 실리콘 웨이퍼 롤링에 최적화되었습니다.화학적으로 활성한 세리움 산화질소 입자는 효율적인 물질 제거를 촉진하면서 결정의 무결성을 보존하고 지하 손상을 최소화합니다..
용액은 웨이퍼 평면성을 향상시키고, 디싱 및 침식 효과를 줄이고, 큰 웨이퍼 지름에 걸쳐 프로세스 안정성을 향상시킵니다.
주요 기술 이점
- 높은 웨이퍼 평면성 제어
- 낮은 비식 및 침식
- 나노미터 수준의 표면 거칠성
- 우수한 웨이퍼 내부 균일성
- 낮은 입자 집적
- CMP 후 간편한 청소
- 대용량 제조에 적합합니다.
입자 크기 분포의정
신청서
- 실리콘 웨이퍼 최종 닦기
- 논리 및 메모리 웨이퍼 CMP
- 첨단 포장 기판
- 300mm 웨이퍼 제조
- 표면 결함 감소 과정
제품 하이라이트
첨단 Ceria CMP 슬러리 실리콘 웨이퍼 롤링 및 반도체 표면 평형화 제품 개요 이 첨단 세리아 기반 CMP 슬러리는 나노 스케일 표면 통제가 필요한 고 정밀 실리콘 웨이퍼 롤링에 최적화되었습니다.화학적으로 활성한 세리움 산화질소 입자는 효율적인 물질 제거를 촉진하면서 결정의 무결성을 보존하고 지하 손상을 최소화합니다.. 용액은 웨이퍼 평면성을 향상시키고, 디싱 및 침식 효과를 줄이고, 큰 웨이퍼 지름에 걸쳐 프로세스 안정성을 향상시킵니다. 주요 기술 이점 높은 웨이퍼 평면성 제어 낮은 비식 및 침식 나노미터 수준의 표면 거칠성 ...
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