Slurry CMP Avançada de Cério para Polimento de Wafer de Silício e Planificação de Superfície de Semicondutores
Detalhes do produto
| Pureza: | ≥ 99,95% | conteúdo sólido: | 5-30% em peso |
|---|---|---|---|
| Tamanho de partícula (D50): | 80 Nm | Faixa de pH: | Personalizável |
| Densidade de defeito: | ultra-baixo | Estabilidade da dispersão: | Excelente |
| Destacar |
Slurry CMP de Cério para wafers de silício,Slurry de polimento para planificação de semicondutores,Slurry CMP de terras raras com garantia |
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Descrição do produto
Pasta de CMP de Céria Avançada para Polimento de Wafer de Silício e Planarização de Superfície de Semicondutores
Visão Geral do Produto
Esta pasta avançada à base de céria é otimizada para polimento de wafer de silício de alta precisão, onde o controle de superfície em nanoescala é necessário. As partículas quimicamente ativas de óxido de cério promovem a remoção eficiente de material, preservando a integridade do cristal e minimizando danos subsuperficiais.
A pasta permite melhor planicidade do wafer, redução dos efeitos de afundamento e erosão, e estabilidade aprimorada do processo em grandes diâmetros de wafer.
Principais Vantagens Técnicas
- Alto controle de planicidade do wafer
- Baixo afundamento e erosão
- Rugosidade superficial em nível nanométrica
- Excelente uniformidade dentro do wafer
- Baixa aglomeração de partículas
- Limpeza pós-CMP fácil
- Adequado para fabricação de alto volume
Distribuição do Tamanho de PartículaAplicações
Polimento final de wafer de silício
- CMP de wafer de lógica e memória
- Substratos de embalagem avançada
- Fabricação de wafer de 300 mm
- Processos de redução de defeitos de superfície
Destaques do Produto
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