シリコンウェーハ研磨および半導体表面平坦化用 高性能セリアCMPスラリー
製品詳細
| 純度: | ≥99.95% | 固形物: | 5～30重量% |
|---|---|---|---|
| 粒径(D50): | 80 Nm | Ph 範囲: | カスタマイズ可能 |
| 欠陥密度: | 超低い | 分散安定性: | 素晴らしい |
| ハイライト |
シリコンウェーハ用セリアCMPスラリー,半導体平坦化研磨スラリー,保証付き希土類CMPスラリー |
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製品の説明
シリコンウェーハ研磨および半導体表面平坦化用 高性能セリアCMPスラリー
製品概要
この高性能セリアベースCMPスラリーは、ナノスケール表面制御が要求される高精度シリコンウェーハ研磨に最適化されています。化学的に活性な酸化セリウム粒子は、結晶構造の完全性を維持し、サブサーフェスダメージを最小限に抑えながら、効率的な材料除去を促進します。
このスラリーは、ウェーハ平坦度の向上、ディッシングおよびエロージョンの低減、そして大口径ウェーハ全体でのプロセス安定性の向上を可能にします。
主な技術的利点
- 高いウェーハ平坦度制御
- 低いディッシングおよびエロージョン
- ナノメートルレベルの表面粗さ
- 優れたウェーハ内均一性
- 低い粒子凝集
- 容易なCMP後洗浄
- 大量生産に適しています
粒子径分布用途
シリコンウェーハ最終研磨
- ロジックおよびメモリウェーハCMP
- 先端パッケージ基板
- 300mmウェーハ製造
- 表面欠陥低減プロセス
製品 ハイライト
シリコンウェーハ研磨および半導体表面平坦化用 高性能セリアCMPスラリー 製品概要 この高性能セリアベースCMPスラリーは、ナノスケール表面制御が要求される高精度シリコンウェーハ研磨に最適化されています。化学的に活性な酸化セリウム粒子は、結晶構造の完全性を維持し、サブサーフェスダメージを最小限に抑えながら、効率的な材料除去を促進します。 このスラリーは、ウェーハ平坦度の向上、ディッシングおよびエロージョンの低減、そして大口径ウェーハ全体でのプロセス安定性の向上を可能にします。 主な技術的利点 高いウェーハ平坦度制御 低いディッシングおよびエロージョン ナノメートルレベルの表面粗さ 優れたウェー...
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