Sementes de óxido de cério CMP de defeito ultra baixo para fabricação de wafers de silício de semicondutores
Detalhes do produto
| Pureza: | ≥ 99,95% | conteúdo sólido: | 5-30% em peso |
|---|---|---|---|
| Tamanho de partícula (D50): | 30-120nm | Faixa de pH: | ajustável |
| Uniformidade da taxa de remoção: | Excelente | Prazo de validade: | 6–12 meses |
| Destacar |
Lixo CMP de óxido de cério de defeito ultra baixo,Lâmina de óxido de cério para wafers de semicondutores,Laminhas de polimento de terras raras para o silício |
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Descrição do produto
Suspensão de Óxido de Cério de Ultra Baixo Defeito para Fabricação de Bolachas de Silício Semicondutor
Visão Geral do Produto
Nossa suspensão de óxido de cério de ultra baixo defeito foi projetada para atender aos rigorosos requisitos da fabricação de semicondutores de próxima geração. A suspensão oferece interação química-mecânica precisa entre as partículas abrasivas e as superfícies de silício, permitindo a planarização em escala atômica necessária para nós avançados e dispositivos de alto desempenho.
Projetada para compatibilidade com as principais plataformas de CMP, a suspensão suporta processamento estável em ciclos de polimento estendidos, mantendo taxas de remoção consistentes e excelente desempenho de rendimento de bolachas.
Principais Vantagens Técnicas
- Capacidade de acabamento de superfície em nível atômico
- Excelente controle de defeitos para nós avançados
- Alta estabilidade do processo
- Redução na formação de arranhões e névoa
- Reatividade química otimizada
- Controle de pureza de grau semicondutor
- Desempenho confiável em fabricação em larga escala
Distribuição do Tamanho de PartículaAplicações
Fabricação de semicondutores de nós avançados
- Suporte de planarização STI e ILD
- Acabamento de substrato de silício
- Desenvolvimento de processo CMP
- Linhas de fabricação de foundry e IDM
Destaques do Produto
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