반도체 실리콘 웨이퍼 제조용 초저 결함 세리움 산화물 CMP 슬러리
제품 상세정보
| 청정: | ≥ 99.95% | 솔리드 콘텐트: | 5~30중량% |
|---|---|---|---|
| 입자 크기(D50): | 30-120nm | Ph 범위: | 조절할 수 있는 |
| 제거율 균일성: | 훌륭한 | 유통기한: | 6~12개월 |
| 강조하다 |
극저 결함의 세리움 산화물 CMP 매일,반도체 웨이퍼용 세리움 산화물 매물,실리콘을 위한 희토류 닦기 매개 |
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제품 설명
반도체 실리콘 웨이퍼 제조용 초저결함 산화세륨 CMP 슬러리
제품 개요
당사의 초저결함 산화세륨 CMP 슬러리는 차세대 반도체 제조의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 이 슬러리는 연마 입자와 실리콘 표면 간의 정밀한 화학-기계적 상호 작용을 제공하여 고급 노드 및 고성능 장치에 필요한 원자 규모 평탄화를 가능하게 합니다.
주요 CMP 플랫폼과의 호환성을 위해 엔지니어링된 이 슬러리는 일관된 제거율과 우수한 웨이퍼 수율 성능을 유지하면서 확장된 연마 주기 동안 안정적인 공정을 지원합니다.
주요 기술적 장점
- 원자 수준 표면 마무리 기능
- 고급 노드를 위한 우수한 결함 제어
- 높은 공정 안정성
- 스크래치 및 헤이즈 형성 감소
- 최적화된 화학 반응성
- 반도체 등급 순도 제어
- 안정적인 대규모 제조 성능
입자 크기 분포응용 분야
고급 노드 반도체 제조
- STI 및 ILD 평탄화 지원
- 실리콘 기판 마무리
- CMP 공정 개발
- 파운드리 및 IDM 제조 라인
제품 하이라이트
반도체 실리콘 웨이퍼 제조용 초저결함 산화세륨 CMP 슬러리 제품 개요 당사의 초저결함 산화세륨 CMP 슬러리는 차세대 반도체 제조의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 이 슬러리는 연마 입자와 실리콘 표면 간의 정밀한 화학-기계적 상호 작용을 제공하여 고급 노드 및 고성능 장치에 필요한 원자 규모 평탄화를 가능하게 합니다. 주요 CMP 플랫폼과의 호환성을 위해 엔지니어링된 이 슬러리는 일관된 제거율과 우수한 웨이퍼 수율 성능을 유지하면서 확장된 연마 주기 동안 안정적인 공정을 지원합니다. 주요 기술적 장점 원자 수준 표...
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