半導体シリコン・ウェーファー製造のための超低欠陥セリウム酸化CMPスラム
製品詳細
| 純度: | ≥99.95% | 固形物: | 5～30重量% |
|---|---|---|---|
| 粒径(D50): | 30～120nm | Ph 範囲: | 調整可能な |
| 除去率の均一性: | 素晴らしい | 貯蔵寿命: | 6～12か月 |
| ハイライト |
極低欠陥のセリウムオキシドCMPスラー,半導体ウエフルのセリウムオキシドスラム,シリコン用稀土の磨きスロー |
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製品の説明
半導体シリコン・ウェーファー製造のための超低欠陥セリウム酸化CMPスラム
製品概要
低欠陥のセリウムオキシド CMPスローリーは 次世代の半導体製造の 厳格な要件を満たすために設計されています砂利は,磨砂粒子とシリコン表面の間の正確な化学的機械的な相互作用をもたらす高度なノードや高性能デバイスに必要な原子規模の平面化が可能になります.
CMPプラットフォームの 互換性のために設計されています粘土は,一貫した除去率と優れたウエファー出力性能を維持しながら,延長された磨きサイクルを通じて安定した加工をサポートします..
主要な 技術 的 利点
- 原子レベルでの表面加工能力
- 先進的なノードに優れたデフォクト制御
- 高度なプロセス安定性
- 擦り傷や霧の形成が減少する
- 化学反応性の最適化
- 半導体級の純度制御
- 信頼性の高い大規模製造性能
粒子の大きさの分布について
申請
- 先進的なノード半導体製造
- STIとILDの平面化支援
- シリコン基板の仕上げ
- CMP プロセス開発
- 鋳造業とIDM製造ライン
製品 ハイライト
半導体シリコン・ウェーファー製造のための超低欠陥セリウム酸化CMPスラム 製品概要 低欠陥のセリウムオキシド CMPスローリーは 次世代の半導体製造の 厳格な要件を満たすために設計されています砂利は,磨砂粒子とシリコン表面の間の正確な化学的機械的な相互作用をもたらす高度なノードや高性能デバイスに必要な原子規模の平面化が可能になります. CMPプラットフォームの 互換性のために設計されています粘土は,一貫した除去率と優れたウエファー出力性能を維持しながら,延長された磨きサイクルを通じて安定した加工をサポートします.. 主要な 技術 的 利点 原子レベルでの表面加工能力 先進的なノードに優れたデフ...
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