Óxido de Ítrio de Alta Pureza (Y₂O₃) Para Revestimento por Pulverização Térmica e de Plasma em Equipamentos de Processamento de Semicondutores
Detalhes do produto
| Fórmula Química: | Y₂O₃ | Pureza: | 99,99% |
|---|---|---|---|
| Morfologia: | Esférico / Aglomerado | Ponto de fusão: | 2.430°C |
| Tamanho de partícula: | Personalizável | Controle de Impurezas: | Grau de semicondutor |
| Destacar |
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Descrição do produto
Óxido de Ítrio de Alta Pureza (Y₂O₃) para Revestimento por Pulverização Térmica e de Plasma em Equipamentos de Processamento de Semicondutores
Descrição
Pó de óxido de ítrio de alta pureza projetado para revestimento por pulverização de plasma de equipamentos de semicondutores. Excelente resistência à corrosão por plasma, baixa contaminação por partículas e vida útil estendida da câmara.
Características do Produto
Resistência Superior à Corrosão por Plasma
O óxido de ítrio demonstra resistência excepcional a ambientes de plasma de flúor e cloro comumente usados em processos de gravação e deposição de semicondutores.
Baixa Contaminação por Partículas
Revestimentos densos de Y₂O₃ reduzem significativamente a liberação de partículas, ajudando a manter condições de produção de semicondutores ultralimpas e melhorando o rendimento de wafers.
Vida Útil Estendida do Equipamento
Protege os componentes da câmara contra erosão química e danos por plasma, reduzindo a frequência de manutenção e o tempo de inatividade operacional.
Excelente Estabilidade Térmica
Alto ponto de fusão e inércia química permitem desempenho estável sob temperaturas extremas e exposição a plasma de alta energia.
Aplicações Típicas
Proteção de Equipamentos de Processamento de Semicondutores
- Câmaras de Gravação por Plasma
- Sistemas CVD / PECVD
- Equipamentos de Deposição ALD
- Sistemas de Limpeza por Plasma
Componentes Chave
- Revestimento de Eletrodo de Fixação Eletrostática (ESC)
- Anéis de Foco
- Cabeçotes de Pulverização
- Revestimentos de Câmara
- Anéis de Borda e Escudos
- Componentes de Manuseio de Wafers
Distribuição de Tamanho de Partícula
Qualidade e Fabricação
Produzido sob rigoroso controle de qualidade de materiais para semicondutores:
- Processo de refino de terras raras de alta pureza
- Engenharia controlada de morfologia de partículas
- Tecnologia avançada de granulação
- Monitoramento de impurezas em várias etapas
Vantagens Competitivas
- Controle de pureza de grau semicondutor
- Fornecimento global estável para exportação
- Otimização personalizada de revestimento por pulverização
- Suporte técnico para processos de revestimento
- Consistência confiável lote a lote
Destaques do Produto
Óxido de Ítrio de Alta Pureza (Y₂O₃) para Revestimento por Pulverização Térmica e de Plasma em Equipamentos de Processamento de Semicondutores Descrição Pó de óxido de ítrio de alta pureza projetado para revestimento por pulverização de plasma de equipamentos de semicondutores. Excelente resistência ...
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