Óxido de itrio de alta pureza (Y2O3) para recubrimiento térmico y de plasma en equipos de procesamiento de semiconductores
Detalles del producto
| Fórmula química: | Y₂O₃ | Pureza: | 99,99% |
|---|---|---|---|
| Morfología: | Esférico / Aglomerado | Punto de fusión: | 2430°C |
| Tamaño de partícula: | Personalizable | Control de impurezas: | Grado semiconductor |
| Resaltar |
con un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%,pero no superior a 50%,Revestimiento por rociado térmico de óxido de itrio |
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Descripción de producto
Óxido de itrio de alta pureza (Y₂O₃) para recubrimiento por pulverización térmica y de plasma en equipos de procesamiento de semiconductores
Descripción
Polvo de óxido de itrio de alta pureza diseñado para el recubrimiento por pulverización de plasma de equipos semiconductores. Excelente resistencia a la corrosión por plasma, baja contaminación de partículas y mayor vida útil de la cámara.
Características del producto
Resistencia superior a la corrosión por plasma
El óxido de itrio demuestra una resistencia excepcional a los entornos de plasma de flúor y cloro comúnmente utilizados en los procesos de grabado y deposición de semiconductores.
Baja contaminación de partículas
Los recubrimientos densos de Y₂O₃ reducen significativamente la desprendimiento de partículas, ayudando a mantener condiciones de producción de semiconductores ultralimpias y mejorando el rendimiento de las obleas.
Mayor vida útil del equipo
Protege los componentes de la cámara de la erosión química y el daño por plasma, reduciendo la frecuencia de mantenimiento y el tiempo de inactividad operativo.
Excelente estabilidad térmica
El alto punto de fusión y la inercia química permiten un rendimiento estable bajo temperaturas extremas y exposición a plasma de alta energía.
Aplicaciones típicas
Protección de equipos de procesamiento de semiconductores
- Cámaras de grabado por plasma
- Sistemas CVD / PECVD
- Equipos de deposición ALD
- Sistemas de limpieza por plasma
Componentes clave
- Recubrimiento de portabrocas electrostáticos (ESC)
- Anillos de enfoque
- Cabezales de ducha
- Revestimientos de cámara
- Anillos de borde y escudos
- Componentes de manipulación de obleas
Distribución del tamaño de partícula
Calidad y fabricación
Producido bajo un estricto control de calidad de materiales semiconductores:
- Proceso de refinación de tierras raras de alta pureza
- Ingeniería controlada de la morfología de partículas
- Tecnología avanzada de granulación
- Monitoreo de impurezas en múltiples etapas
Ventajas competitivas
- Control de pureza de grado semiconductor
- Suministro global estable para exportación
- Optimización personalizada de recubrimientos por pulverización
- Soporte técnico para procesos de recubrimiento
- Consistencia confiable lote a lote
Lo más destacado del producto
Óxido de itrio de alta pureza (Y₂O₃) para recubrimiento por pulverización térmica y de plasma en equipos de procesamiento de semiconductores Descripción Polvo de óxido de itrio de alta pureza diseñado para el recubrimiento por pulverización de plasma de equipos semiconductores. Excelente resistencia ...
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