Polvo de rociado térmico de itria (Y₂O₃) para protección de cámaras de grabado por plasma
Detalles del producto
| Material: | Óxido de itrio (Y2O3) | Pureza: | 99,9% |
|---|---|---|---|
| Forma de las partículas: | Esférico / Aglomerado | Estabilidad química: | Pendiente |
| Nivel de contaminación: | ultrabajo | rango de tamaño de partícula: | 10–65 µm |
| Resaltar |
Polvo de rociado térmico de itria,Protección de grabado por plasma de Y₂O₃,Recubrimiento térmico de óxido de tierra rara |
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Descripción de producto
Polvo de rociado térmico de itria (Y₂O₃) para protección de cámaras de grabado por plasma
Descripción
El polvo de recubrimiento por rociado de óxido de itrio (Y₂O₃) es un material cerámico de alto rendimiento desarrollado para recubrimientos protectores en equipos avanzados de fabricación de semiconductores. Diseñado para tecnologías de rociado por plasma y rociado térmico, el material forma una capa densa de cerámica de itria que protege los componentes del equipo que operan en entornos agresivos de procesamiento de plasma.
En procesos de fabricación de semiconductores como el grabado por plasma, la deposición y la limpieza, los componentes de la cámara están continuamente expuestos a gases reactivos a base de flúor e iones energéticos. Los recubrimientos de Y₂O₃ proporcionan una estabilidad química superior y resistencia a la erosión por plasma, reduciendo eficazmente las fuentes de contaminación y garantizando un rendimiento estable del proceso.
El material está diseñado con una morfología de partículas controlada y una distribución de tamaño optimizada para lograr una alta resistencia de adhesión del recubrimiento, una microestructura uniforme y una excelente durabilidad del recubrimiento.
Características del producto
Durabilidad de plasma excepcional
Los recubrimientos de itria exhiben una excelente resistencia a la corrosión por plasma de fluorocarbono, lo que los hace ideales para nodos de semiconductores de próxima generación.
Generación de partículas reducida
La estructura densa del recubrimiento cerámico minimiza el microdesprendimiento y la caída de partículas dentro de las cámaras de procesamiento.
Estabilidad del proceso mejorada
La química de superficie estable ayuda a mantener condiciones de proceso de semiconductores repetibles y mejora el rendimiento de fabricación.
Alta eficiencia de deposición
La morfología optimizada del polvo garantiza una excelente fluidez y uniformidad del recubrimiento durante el rociado por plasma.
Larga vida útil
Extiende significativamente los intervalos de mantenimiento en comparación con los recubrimientos cerámicos convencionales.
Aplicaciones típicas
Protección de equipos de semiconductores
- Sistemas de grabado por plasma
- CVD / PECVD
- Sistemas ALD
- Cámaras de limpieza en seco
Componentes recubiertos
- Chucks electrostáticos (ESC)
- Revestimientos de cámara
- Placas de distribución de gas
- Anillos de borde y escudos
Distribución de tamaño de partícula
Fabricación y control de calidad
Fabricado con tecnologías avanzadas de procesamiento de tierras raras:
- Síntesis de itria de alta pureza
- Granulación controlada para rociado
- Monitoreo estricto de impurezas
- Garantía de calidad de materiales semiconductores
Lo más destacado del producto
Polvo de rociado térmico de itria (Y₂O₃) para protección de cámaras de grabado por plasma Descripción El polvo de recubrimiento por rociado de óxido de itrio (Y₂O₃) es un material cerámico de alto rendimiento desarrollado para recubrimientos protectores en equipos avanzados de fabricación de ...
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